10N60-ASEMI额定电流多少？

-TH MOSFET（场效应管）的主要参数：2. 直流输入电阻RGS 即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比这一特性有时以流过栅极的栅流表示 MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
-TH MOSFET（场效应管）的主要参数: 4. 栅源击穿电压BVGS 在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
-TH ID剧增的原因有下列两个方面: (1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿 (2)漏源极间的穿通击穿有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID

更多内容

KBPC1010-ASEMI可以用多久时间？教期待大神解答

lu- 整流模块的材质一般环氧树脂的，引脚的话看网上的一些产品图感觉应该是铜质的。KBPC1010-ASEMI 全文
ASEMI整流桥DB157S参数是？

dd回复从芯片上看，贴片的规格一般为小薄型的，因此对引线粗细、芯片的规格都有相应的限制。全文
MDK110-16-ASEMI反向耐压多少？

TH- 整流桥内部电路如图所示,是六只二极管串并联组成的，按测量单只二极管的方法分别测量每只二极管即可。如用数字表,用测量二极管档，正向测量时会有压降显示,，约700mV左右就正常。如压降很小就是击.. 全文
在线的各位知道吗，9015-ASEMI应用领域有哪些？

TH- 三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。全文

天助网首页