MBR20100FCT-ASEMI怎么检测好坏?
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  • 由于电子比空穴迁移率大,为获得良好的频率特性,故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容,提高反向击穿电压,同时又不使串联电阻过大,通常是在N+衬底上外延一高阻N-薄层。

  • 采用表面封装的肖特基二极管有单管型、shuang管型和三管型等多种封装形式,有A~19种管脚引出方式

  • 具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。

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