SBT30100VFCT-ASEMI VF值的影响是?
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  • 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用shen作掺杂剂的N-外延层。

  • 新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等,半导体通常为硅(Si)或shen化jia(GaAs)。

  • 肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管,而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管,采用硅平面工艺制造的铝硅 这不仅可节省gui金属,大幅度降低成本,还改善了参数的一致性。

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