A29T -ASEMI怎么检测好坏?教期待大神解答
http://www.tz1288.com/ask/2606746.html
  • -TH mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。

  • -TH MOSFET(场效应管)的主要参数:1.开启电压VT 开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压; 标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。

  • -TH N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构,它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层,然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区,从N型区引出电极,一个是漏极D,一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。

更多内容
更多>

精选分享

按字母分类: A| B| C| D| E| F| G| H| I| J| K| L| M| N| O| P| Q| R| S| T| U| V| W| X| Y| Z| 0-9

增值电信业务经营许可证:粤B2-20191121         |         网站备案编号:粤ICP备10200857号-23         |         高新技术企业:GR201144200063         |         粤公网安备 44030302000351号

Copyright © 2006-2024 深圳市天助人和信息技术有限公司 版权所有 网站统计