******们请赐教!20N20-ASEMI是常规型号吗?
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  • -L MOSFET(场效应管)的主要参数: 4. 栅源击穿电压BVGS 在增加栅源电压过程中,使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS。20N20-ASEMI

  • -Ll MOSFET(场效应管)的主要参数:1.开启电压VT 开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压; 标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。20N20-ASEMI

  • -Lv 场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道,详情参考右侧图片(P沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管。20N20-ASEMI

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