在线的各位知道吗，MUR860D-ASEMI该怎么选型？

-Ls 首先考察一个更简单的器件--MOS电容--能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon(外在硅)，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。MUR860D-ASEMI
-Lv 场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（P沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。MUR860D-ASEMI
-Lw MOSFET（场效应管）的主要参数: 3. 漏源击穿电压BVDS在VGS=0(增强型)的条件下，主要看型号和参数可以了解MUR860D-ASEMI

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SMCJ120A-ASEMI主要参数有哪些？

-TH 双向TVS二极管可于正反两个方向吸取浪涌电压脉冲，构建了对于电压的钳制双向TVS二极管用途比较大（直流，交流皆可以）。全文
MDC110-16-ASEMI电性参数是多少？

TH- 整流桥内部电路如图所示,是六只二极管串并联组成的，按测量单只二极管的方法分别测量每只二极管即可。如用数字表,用测量二极管档，正向测量时会有压降显示,，约700mV左右就正常。如压降很小就是击.. 全文
帮个忙，TBM410-ASEMI作用是整流吗？

Ly- 一般整流桥命名中有3个数字,前一个数字代表型号;后两个数字代表额定电流A额电压(数字*100),V 如: MT5010 , 即50A，1000VTBM410-ASEMI 全文
朋友们，7N80-ASEMI注意事项有哪些？拜托了帮个忙

-Ll MOSFET（场效应管）的主要参数：1.开启电压VT 开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压; 标准的N沟道MOS管，VT约为3~6V;通过工艺上的改进.. 全文

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