艺炫电子科技——mos管
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,电子元器件批发,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,电子元器件厂家,或者PMOS指的就是这两种
比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小,电子元器件***,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,元器件,一般都用NMOS。
通,适用于源极接VCC时的情况艺炫电子科技——MOS管
mos在控制器电路中的工作状态:开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内,mos即会正常工作,超出承受范围,即发生损坏
艺炫电子科技——MOS管Mos损坏主要原因:
过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁;
过压----------源漏过压击穿、源栅极过压击穿;
静电----------静电穿。CMOS电路都怕静电;
半导体是导电性介于导体和绝缘体之间的材料。导电性可以由电阻率来反映。对于导体,例如大多数金属,其电阻率的数量级是10-7~10-8Ω·m;对于绝缘体例如氧化物薄膜、云母、玻璃、塑料等等,他们的电阻率在1010和1014Ω·m之间。半导体的电阻率介于两者之间,但其变化之大(大约13个数量级),客观上很难把电阻率当作判定材料的适当参数。这里我们引入固体能带理论,一方面可以解释电阻率的起源,一方面可以相对准确的定义半导体。
如何判断mos管工作状态,文中将会具体描述出来。mos管的工作状态一共有两种:增强型和耗尽型两类又有N沟道和P沟道之分。
mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的
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