艺炫电子科技——mos管
MOS管相比于三极管,开关速度快,导通电压低,电压驱动简单,所以越来越受工程师的喜欢,然而,若不当设计,场效应管价格,哪怕是小功率MOS管,场效应管批发,也会导致芯片烧坏,原本想着更简单的,***变得更加复杂。这几年来一直做高频电源设计,也涉及嵌入式开发,对大小功率MOS管,都有一定的理解,所以把心中理解的经验总结一番,形成理论模型
艺炫电子科技——mos管
mos管隔离驱动电路,场效应管,如果驱动高压MOS管,我们需要采用变压器驱动的方式和集成的高边开关。这两个解决方案都有自己的优点和缺点,适合不同的应用。集成高边驱动器方案很方便,优点是电路板面积较小,缺点是有很大的导通和关断延迟。变压器耦合解决方案的优点是延迟非常低,可以在很高的压差下工作。常它需要更多,缺点是需要很多的元件并且对变压器的运行有比较深入的认识
艺炫电子科技——MOS管
MOS管发热四大关键因素。
1.芯片发热,场效应管厂家,假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗,简单的计算公式为:I=cvf
2.功率管发热,功率管的功耗分成两部分,开关损耗和导通损耗。
3.工作频率降频,输入电压和负载电压的比例小、系统干扰大。
4.电感或者变压器的选择,
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