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艺炫电子科技(广州)有限公司
主营：场效应管，集成电路，半导体，可控硅
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艺炫电子科技——MOS管
MOS管的散热，选用时，不仅仅是看通过的电流满足即可，要考虑热问题，电子元器件价格，特别是大电流情况下，散热更需要当心，因为散热是个持续恶化的过程，温度高，电阻大，电阻大，温度更高，所以散热需要特别注意。考虑到散热和安装过程关系密切，电子元器件厂家直销，是在产品实际长时间工作，极限状态下，用热红外测一下，有一定余量。
艺炫电子科技——大功率MOS管
大功率MOS管构造
在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N沟道（NPN型）增强型MOS管。显然它的栅极和其它电极间是绝缘的
艺炫电子科技——大功率MOS管
P-MOS通常用作电源的开关，控制设备的电源打开或者关闭。
如上图，元器件，默认状态下LCD_PWR_EN是被拉低的，T2001关断，P-MOS的控制端（U2003的pin1，G极）是高电平，VGS=0，此时P-MOS关断，电压没有输出到右边。
如果GPIO被拉高，T2001导通，MOS管G极被拉低，VGS=VBAT，电子元器件在线咨询，超过了打开电压，此时P-MOS被打开，电压有输出到右侧。
艺炫电子科技——MOS管
MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
MOS管不仅可以做开关电路，也可以做模拟放大，因为栅极电压在一定范围内的变化会引起源漏间导通电阻的变化。
二者的主要区别就是：双极型管是电流控制器件（通过基极较小的电流控制较大的集电极电流），MOS管是电压控制器件（通过栅极电压控制源漏间导通电阻）。
MOS管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。
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第7年
