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研磨(Lapping):研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损,使晶片表面达到所要求的光洁度。
7、蚀刻(Etching):以化学蚀刻的方法,去掉经上几道工序加工后在晶片表面因加工应力而产生的一层损伤层。
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晶体成长(Body Growth):不断调整提升速度和融炼温度,维持固定的晶棒直径,只到晶棒长度达到预定值。
5)、尾部成长(Tail Growth):当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度,使晶棒直径逐渐变小,以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生,***终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。
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