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镇江澳晶硅材料有限公司
主营：太阳能硅片,硅锭加工,化工材料等
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二级品：
1：表面有少许污渍、线痕、凹痕，轻微崩边。
2： 220±30μm ≤TV≤220±40μm。
3：凹痕：硅片表面凹痕之和≤30μm。
4：崩边范围：崩边口不是三角形状，崩边口长度≤1mm，深度≤0.5mm
5：几何尺寸：
边长125±0.52mm；对角150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm；
边长103±0.52mm、对角135±0.52mm；
边长150±0.52mm、156±0.52mm、对角203±0.52mm、200±0.52mm。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.5mm。
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.8。
三级品：
1：表面有油污但硅片颜色不发黑，有线痕和硅落现象。
2：220±40μm ≤TV≤220±60μm。
3：硅落：整张硅片边缘硅晶脱落或部分硅晶脱落。
三、不合格品
严重线痕、厚薄片：TV>220±60μm。
崩边片：有缺损但可以改Φ103的硅片。
气孔片：硅片中间有穿孔。
外形片：切方滚圆未能磨出的硅片。
倒角片（同心度）：任意两个弧的弦长之差>1.5mm。
菱形片（垂直度）：任意两边的夹角>90°±0.8。
凹痕片：硅片两面凹痕之和>30μm。
脏片：硅片表面有严重污渍且发黄发黑。
尺寸偏差片：几何尺寸超过二级品的范围。
冶金法生产太阳能多晶硅用定向凝固器及多晶硅生产方法
[简介]： 多晶硅的挡板晶圆60置放在支撑塔20的非生产沟槽中，用于热处理单晶硅晶圆。多晶硅较佳为随机定向多晶硅ROPSi，多晶硅锭铸造厂家，优选通过使用随机定向晶种例如CVD成长的硅而以Czochralski方法来成长。热炉管10的全硅热区可以包括...
挡板晶圆及其所用的随机定向多晶硅
[简介]： 本发明属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种多晶硅定向凝固装置，包括炉体，炉体内放置有石英坩埚，石英坩埚外壁由内向外依次环绕设置有石墨发热体、保温套筒和感应线圈，黑龙江多晶硅锭铸造，石英坩埚底部设置有与炉体底部通连的拉锭机构，多晶硅锭铸造规格，保温套筒...
多晶硅的定向生长方法
[简介]： 一种定向凝固去除多晶硅中金属杂质的方法，包括如下步骤：（1）原料硅在石墨坩埚中熔化，将硅液倒入定向凝固装置中，盖上保温板，并保持上部温度在1450～1500°C；（2）硅液的表面上放置石墨板，多晶硅锭铸造加工，石墨板与外界直流电压的负极相接，定...
一种定向凝固去除多晶硅中金属杂质的方法以及装置
[简介]： 一种定向凝固多晶硅锭的方法，包括加热熔化、凝固长晶、冷却，其特征是在冷却阶段保持多晶硅锭底部散热通道继续开启，使多晶硅锭底部温度循之前趋势继续缓慢下降；与此同时逐渐减小炉子加热功率，使多晶硅锭温度持续下降，直至...
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第7年
