多种封装方式的选择
嵌入式芯片封装是众多集成电路(IC)封装类型中的一种。基本上,IC封装可分为三大类:引线框架封装、晶圆级封装(WLP)和基板级封装。
第i一类:引线框架封装。用于模拟和其他市场的引线框架封装系列涉及多种封装类型,如方形扁平无引脚封装(QFN)和方型扁平式封装(QFP)。引线框架是金属框架,裸片贴装在框架上,用细引线连接。
这项技术有对电热管理有利。Gerbier继续解释:“这与正在进行的如TSV的3D堆叠解决方案没什么不同。裸片排列更紧凑,这样互连会更短。当在嵌入式技术上进行互连工艺时,就是在pad的顶部构建了布线层。多种封装方式的选择嵌入式芯片封装是众多集成电路(IC)封装类型中的一种。因此当创建通孔或连接点与pad连接,我发现一种无需焊料就可以实现互连的方法,这就是copper-to-copper。从可靠性的角度来看,如果材料匹配,就不会有太多问题。”
在SESUB中,通用的配置是4层基板的嵌入式封装,有些也会开发2层、5层或6层的基板。
该技术对于输入输出(I/O)数量的理想数值是400。line/space的规范是大于等于10μm。pad尺寸为80μm,pad间的间距为120μm。经过细化处理后,可以堆叠多达十个芯片来创建高容量的SD存储卡。Gerbeir说:“到2018年和2019年,pad尺寸有望会降为30μm,间距降为50μm。”
与此同时,ASE提供了自主研发的名为“***嵌入式有源系统集成(aEASI)”的嵌入式芯片技术。在近些年的生产过程中,aEASI专为高功率应用提供服务。这是将引线框架和基板技术混合使用的封装技术。
其他选择
2008年,欧洲成立了将致力于嵌入式芯片技术商业化的联盟。AT&S公司实现了ECP技术的商业化。
AT&S的Drofenik和Vorarberger解释道:“ECP使用有机层压基板中的空间来嵌入有源(芯片)或无源元器件。电容器和电阻器的厚度薄且采用铜布线,已经开发成功,而压敏电阻和热敏电阻还在开发中。”
MEMS也可以集成到封装中。与SESUB一样,ECP也使用板级的方式进行处理。通常情况下,IC会被封装在电路板上,但这样有时会占用系统中宝贵的电路板空间。Drofenik和Vorarberger说:“嵌入式工艺可分为三个主要步骤:元器件组装(***结构、形成空腔、贴保护层)、层压(树脂填充,去保护层)、以及结构化(激光钻孔、电子测试)。”
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