刻蚀工艺过程
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等离子体刻蚀工艺包括以下六个步骤。 分离: 气体由等离子体分离为可化学反应的元素; 扩散: 这些元素扩散并吸附到硅片表面; 表面扩散:到达表面后, 四处移动; 反应: 与硅片表面的膜发生反应; 解吸: 反应的生成物解吸,离子束刻蚀机工作原理, 离开硅片表面; 排放: 排放出反应腔。
干法刻蚀
干法刻蚀种类很多,包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。其优点是:各向异性好,离子束刻蚀机厂家,选择比高,可控性、灵活性、重复性好,细线条操作安全,易实现自动化,无化学废液,处理过程未引入污染,洁净度高。缺点是:成本高,设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程(如屏蔽式,下游式,桶式),纯物理过程(如离子铣),物理化学过程,离子束刻蚀机,常用的有反应离子刻蚀RIE,离子束辅助自由基刻蚀ICP等。干法刻蚀方式很多,一般有:溅射与离子束铣蚀, 等离子刻蚀(Plasma Etching),离子束刻蚀机供应商,高压等离子刻蚀,高密度等离子体(HDP)刻蚀,反应离子刻蚀(RIE)。另外,化学机械抛光CMP,剥离技术等等也可看成是广义刻蚀的一些技术。
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离子束刻蚀机
离子束刻蚀是从工件上去除材料,是一个撞击溅射过程。
当离子束轰击工件,入射离子与靶原子碰撞时将动能传递给靶原子,使其获得的能量超过原,子的结合能,导致靶原子发生溅射,从工件表,面溅射出来,以达到刻蚀的目的。
刻蚀加工时,对离子入射能量、束流大小、离子入射角度以及工作室压力都需要根据不同的加工需求进行调整。
离子束刻蚀可以在加工、表面抛光、石英晶体谐振器制作等方面得到应用。
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