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主营：磁控溅射镀膜机,电子束/热阻蒸发机,ICP,RIE,IBE
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磁控溅射中靶zhong毒是怎么回事，一般的影响因素是什么？
以下内容由创世威纳为您提供服务，希望对同行业的朋友有所帮助。
靶zhong毒的物理解释
（1）一般情况下，金属化合物的二次电子发射系数比金属的高，靶zhong毒后，靶材表面都是金属化合物，在受到离子轰击之后，释放的二次电子数量增加，自动磁控溅射镀膜机，提高了空间的导通能力，自动磁控溅射镀膜机价格，降低了等离子体阻抗，导致溅射电压降低。从而降低了溅射速率。一般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间，当发生靶zhong毒时，溅射电压会显著降低。（2）金属靶材与化合物靶材本来溅射速率就不一样，一般情况下金属的溅射系数要比化合物的溅射系数高，所以靶zhong毒后溅射速率低。（3）反应溅射气体的溅射效率本来就比惰性气体的溅射效率低，自动磁控溅射镀膜机安装，所以反应气体比例增加后，综合溅射速率降低。
磁控溅射镀膜的特点
1、靶材粒子能量高（比热蒸发高出1个数量级），所制备膜层更致密，与石英片结合力更高：
2、一般备有辅助离子源，可以用来清洗石英片，清洗效果好；
3、易于制备熔点高的材料；
4、制备合金膜层，自动磁控溅射镀膜机工作原理，可以保证膜层材料比例与靶材相同；
5、由于装有中和器，也可以用来制备绝缘膜层。
创世威纳本着多年 磁控溅射镀膜机行业经验，专注 磁控溅射镀膜机研发定制与生产，***的 磁控溅射镀膜机生产设备和技术，建立了严格的产品生产体系，想要更多的了解，欢迎咨询图片上的热线电话！！！
磁控溅射的工作原理
是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于磁控溅射一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程，和靶原子碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量，离开靶被溅射出来。
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第7年
