US1M贴片二极管-ASEMI-贴片二极管

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摘要 : ASEMI半导体知识放送：电感器、变压器方法。有关注我们ASMEI半导体网站及***平台的您应该记得，前不久我们跟大家分享了关于电阻器，电容器的方法，而今天出场

ASEMI半导体知识放送：电感器、变压器方法。有关注我们ASMEI半导体网站及***平台的您应该记得，前不久我们跟大家分享了关于电阻器，电容器的方法，而今天出场的，则是电感器和变压器的方法…

按照ASEMI半导体的老规矩，我们还是从常见的色码电感器开始说起，同样的，还是使用万用表，将表调整在R×1挡，可以不分正负极，选择将两个表笔接在您需要测试的电感器两个引出端。如果出现了电阻值是零的情况，则可以很肯定的告诉您，这个色码电感器内部一定存在短路性故障。另外一种情况是就是电阻值是有读值的情况，因为色码电感器比较特殊，它的直流电阻值的大小和绕制电感器线圈所用的漆包线径、绕制圈数有直接关系，只要能测出电阻值，就可认为是正常的。

说完了电感器，ASEMI半导体接下来要和您探讨的，就是变压器的。变压器的我们分为两种：中周变压器和电源变压器。

1.中周变压器的

A、将万用表拨至R×1挡，按照中周变压器的各绕组引脚排列规律，逐一检查各绕组的通断情况，进而判断其是否正常。

B、绝缘性能将万用表置于R×10k挡，做如下几种状态测试：

(1)初级绕组与次级绕组之间的电阻值；阻值为无穷大：正常；

(2)初级绕组与外壳之间的电阻值；阻值为零：有短路性故障；

(3)次级绕组与外壳之间的电阻值。阻值小于无穷大，但大于零：有漏电性故障。

2.电源变压器的

绝缘性测试。用万用表R×10k挡分别测量铁心与初级，初级与各次级、铁心与各次级、静电屏蔽层与衩次级、次级各绕组间的电阻值，万用表指针均应指在无穷大位置不动。否则，说明变压器绝缘性能不良。

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摘要 : 导读：ASEMI半导体强势回归--揭秘半导体命名方法。本篇ASEMI半导体将带领大家一起了解，各地对于半导体各种元器件的命名方法，揭开半导体元器件的神秘面纱，帮助更多半导

导读：ASEMI半导体强势回归--揭秘半导体命名方法。本篇ASEMI半导体将带领大家一起了解，各地对于半导体各种元器件的命名方法，揭开半导体元器件的神秘面纱，帮助更多半导体从业者和爱好者，好地方便的辨认各国元器件真伪以及快速的选型。

开头先讲的，是包括ASEMI半导体在内的我们半导体。

半导体器件型号由五部分组成，并且这五部分的命名都有各自的含义。同时需要跟大家强调的是，场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件这几种特殊的型号命名只有第三、四、五部分。接下来就让我们一起来看看这五部分究竟是什么吧~

首先是：用数字表示半导体器件中的有效电极数目。比如说2是代表着二极管、3则是代表着三极管；第二部分：半导体传统情况下会用汉语的拼音字母表示半导体器件的材料和极性；第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型，比如说P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流桥堆；第四部分：用数字表示序号；第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 。

之外，半导体发展迅速的可以说是大家耳熟能详的美国，ASEMI半导体生产基地所在的地区就是被称为，US1M贴片二极管，那么真正的硅谷是在哪里呢？对了，就是美国，美国半导体的发展一直以为都是属于前茅，但是美国半导体的命名却比较混乱。同样也有五部分组成：

部分：用符号表示器件用途的类型。

第2部分：用数字表示pn结数目。

第3部分：美国电子工业协会注册标志。

第4部分：美国电子工业协会登记顺序号。

第5部分：用字母表示器件分档。

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摘要 : 常见的二极管参数都有哪些呢？强元芯来告诉您！

常见的二极管参数都有哪些呢？

1.正向压降，此二极管参数决定了电路当中的功耗，压降越低，贴片二极管，效率越高，

2.反向恢复时间，这项二极管参数决定了二极管在高频场所使用时是否合适，它可以帮助我们选择合适的二极管

3.浪涌电流，这项二极管参数是针对于电路当中有高频脉冲及开关开断的瞬间，会有一个较大的电流，ES1J贴片二极管，它参数越高，说明它的抗冲击力越好

4.后一点是结温，这项二极管参数，决定了二极管工作时的稳定性，大家都知道，二极管工作时，会有较大的温升，所以二极管的PN结结温也就成了影响二极管在温升较高时工作的稳定性

选择二极管时需注意以下参数：

1.应小于二极管的正向额定电流IF.

2.应用电路的峰值工作电压应小于二极管的反向击穿电压Vrrm.

3.应用电路内的二极管的实际工作温升应小于肖特基二极管的结温Tjmax.

4.对于比较苛刻的环境，为了保证可靠性，二极管应降额使用。

5.对于浪涌电压或浪涌电流比较大的应用电路应该加抑制和吸收电路。

6.二极管的代换尽量选用原型号、因为不同的型号的肖特基正向压降VF和反向击穿电压VR、反向漏电流IR都不同。