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主营：超高压陶瓷电容器
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智能电容器一般会出现什么问题？
精度能达到0.5级，局放＜5pC@14.4kV，介质损耗＜0.1%，雷电冲击75kVAC，1.2/50μs，正负极性各 15 次。
1、电容器的爆1炸：电容器如果内部的元件被击穿，与之其他的电容器就会对其进行放电，能量过去大就会导致爆1炸，爆1炸就不但会对周围的所有设备造成危险发生火灾，而且严重的还会危机到人的生命。
2、外壳膨胀：在电压的作用下电容器内部介质会发生游离，或者是当元件被击穿时都会导致介质析出气体，在密封的外壳中这些气体将引起压力的增加，因而将引起外壳膨胀。
电容的用途
精度能达到0.5级，局放＜5pC@14.4kV，介质损耗＜0.1%，雷电冲击75kVAC，1.2/50μs，正负极性各 15 次。
1．计时：电容器与电阻器配合使用，确定电路的时间常数。
2．调谐：对与频率相关的电路进行系统调谐，比如手机、收音机、电视机。整流：在预定的时间开或者关半闭导体开关组件。
3．储能：储存电能，用于必须要的时候释放。例如相机闪光灯，加热设备等等。（如今某些电容的储能水平已经接近锂电池的水准，南京电解电容，一 电容储存的电能可以供一个手机使用一天。
电容器的投切方式二
精度能达到0.5级，局放＜5pC@14.4kV，介质损耗＜0.1%，雷电冲击75kVAC，1.2/50μs，正负极性各 15 次
电子式无触点可控硅投切电容器装置（TSC）可控硅投切电容器，是利用了电子开关反应速度快的特点。采用过零触发电路，检测当施加到可控硅两端电压为零时，发出触发信号，可控硅导通。此时电容器的电压与电网电压相等，因此不会产生合闸涌流，解决了接触器合闸涌流的问题。但是，可控硅在导通运行时，可控硅结间会产生一伏左右的压降，通常15KVAR三角形接法的电容器，额定电流22A，则一个可控硅消耗功率约为22W。如以一个150KVAR电容柜来算，运行时可控硅投切装置消耗的功率可达600W，而且都变成热量，使机柜温度升高。同时可控硅有漏电流存在，当未接电容时，互感器电容器厂家，即使可控硅未导通，其输出端也是高电压。优点：无涌流，无触点，使用寿命长、维修少，投切速度快（5ms内）；缺点：价格高为接触器的3倍、投切速度0.5s左右
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第7年
