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北京赛米莱德贸易有限公司
主营：光刻胶
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| 女士： |
品牌
产地
型号
厚度
曝光
应用
加工
特性
Futurrex
美国
NR71-1000PY
0.7μm~2.1μm
高温耐受
用于i线曝光的负胶
LEDOLED、
显示器、
MEMS、
封装、
生物芯片等
金属和介电
质上图案化，
不必使用RIE
加工器件的永
组成
（OLED显示
器上的间隔
区）凸点、
互连、空中
连接微通道
显影时形成光刻胶倒
梯形结构
厚度范围：
0.5～20.0 μm
i、g和h线曝光波长
曝光
对生产效率的影响：
金属和介电质图案化
时省去干法刻蚀加工
不需要双层胶技术
NR71-1500PY
1.3μm~3.1μm
NR71-3000PY
2.8μm～6.3μm
NR71-6000PY
5.7μm~12.2μm
NR9-100PY
0.7μm~2.1μm
粘度增强
NR9-1500PY
1.3μm~3.1μm
NR9-3000PY
2.8μm~6.3μm
NR9-6000PY
5.7μm~12.2μm
NR71G-1000PY
0.7μm~2.1μm
高温耐受
负胶对 g、h线波长的灵敏度
NR71G-1500PY
1.3μm~3.1μm
NR71G-3000PY
2.8μm~6.3μm
NR71G-6000PY
5.7μm~12.2μm
NR9G-100PY
0.7μm～2.1μm
粘度增强
NR9G-1500PY
1.3μm～3.1μm
NR9G-3000PY
2.8μm～6.3μm
NR9G-6000PY
5.7μm~12.2μm
品牌
产地
型号
厚度
耐热温度
应用
Futurrex
美国
PR1-500A
0.4μm～0.9μm
2，涂胶，在硅片覆盖，旋转，离心力，在硅片表面通过旋转的光刻胶，工艺参数3000-6000rpm 胶膜厚0.5-1um，
3，前烘，通过在较高温度下进行烘焙，NR9 1500P光刻胶，使存底表面涂覆的光刻胶膜的溶剂挥发，溶剂将至5%左右，同时增强与衬底的粘附性。前烘方法：热平板传导，干燥循环热风提高附着力，NR9 1500P光刻胶厂家，红外线辐射。
烘箱前烘条件：90-100度，10-20min，NR9 1500P光刻胶价格，前烘时间与温度应适当，如太长或温度太高，光刻胶层变脆而附着力下降，NR9 1500P光刻胶公司，而前烘不足会影响后面的显影效果。
光刻的工序
下面我们来详细介绍一下光刻的工序：
一、清洗硅片（Wafer Clean）
清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性
基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。
自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例Goldfinger Mach2清洗系统）、美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304 DSS清洗系统）、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。
温馨提示：以上是关于NR9 1500P光刻胶公司-赛米莱德公司的详细介绍，产品由 北京赛米莱德贸易有限公司为您提供，如果您对 北京赛米莱德贸易有限公司产品信息感兴趣可以联系供应商或者让供应商主动联系您 ，您也可以查看更多与半导体材料相关的产品！
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第6年
