光刻胶的参数介绍
1.对比度(Contrast)
对比度指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。 对比度越好,越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。
2.粘滞性/黏度 (Viscosity)
衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度,而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。
3.抗蚀性(Anti-etching)
光刻胶必须保持它的粘附性,在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。
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光刻胶:半导体技术壁垒的材料之一
光刻是整个集成电路制造过程中耗时长、难度大的工艺,耗时占IC制造50%左右,成本约占IC生产成本的1/3。光刻胶是光刻过程重要的耗材,光刻胶的质量对光刻工艺有着重要影响。
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光刻胶定义
光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料,是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist,又翻译为抗蚀剂、光阻等。广泛应用于集成电路(IC),封装(Packaging),微机电系统(MEMS),正向光刻胶公司,光电子器件光子器件(Optoelectronics/Photonics),平板显示器(LED,正向光刻胶哪家好,LCD,OLED),太阳能光伏(Solar PV)等领域。
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