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上海伯东代理美国 KRi 考夫曼离子源适用于安装在 MBE 分子束外延, 溅射和蒸发系统, PLD 脉冲激光系统等, 在沉积前用离子轰击表面, 进行预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等！ KRi 离子源预清洁可以实现 去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附气体, 碳氢化合物残留 去除化学吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100Å
KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用 实验条件: 轻蚀刻, 硅片去除很薄的金属膜, 通气 污染物清除: 去除金属薄膜 (w/ Ni/Fe) 数据来源: 美国 KRi 原厂资料
上海伯东美国 KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.
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第10年
