4、PECVD
等离子体化学气相沉积。太阳光在硅表面的反射损失率高达35%左右。减反射膜可以提高电池片对太阳光的吸收,有助于提高光生电流,进而提高转换效率:另一方面,薄膜中的氢对电池表面的钝化降低了发射结的表面复合速率,减小暗电流,提升开路电压,提高光电转换效率。H能与硅中的缺陷或杂质进行反应,从而将禁带中的能带转入价带或者导带。
在真空环境下及480摄氏度的温度下,通过对石墨舟的导电,使硅片的表面镀上一层SixNy薄膜。
电路板清洗技术
3、 免清洗技术
在焊接过程中采用免清洗助焊剂或免清洗焊膏,焊接后直接进入下道工序不再清洗,
免清洗技术是目前使用多的一种替代技术,尤其是移动通信产品基本上都是采用免洗方法来替代ODS。目前国内外已经开发出很多种免洗焊剂,国内如北京晶英公司的免清洗焊剂。
免清洗焊剂大致可分为三类:
1) 松香型焊剂:再流焊接使用(RMA),可免洗。
2) 水溶型焊剂:焊后用水清洗。
3) 低固态含量助焊剂:免清洗。免清洗技术具有简化工艺流程、节省制造成本
和污染少的优点。近十年来,免清洗焊接技术、免清洗焊剂和免清洗焊膏的普遍使用,是20 世纪末电子产业的一大特点。取代CFCs 的途径是实现免清洗。
现价段,中国的多晶硅厂家都是直接购进三氯氢硅,有合成三氯氢硅工序的很少。因为三氯氢硅的合成是氯气和硅粉在高压高温下反应生成,类似于合成氨。所以一方面危险性高,另一方面硅粉分离比较成问题,还有一方面投资也大。本来一个年产300吨多晶硅规模的不要合成三氯氢硅工序就要投资一亿多,所以一般企业都不上。
多晶硅的生产工艺主要由高纯石英(经高温焦碳还原)→工业硅(酸洗)→硅粉(加HCL)→SiHCL3(经过粗馏精馏)→高纯SiHCL3(和H2反应CVD工艺)→高纯多晶硅。
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