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广东省科学院半导体研究所
主营：深硅刻蚀,真空镀膜,磁控溅射,材料刻蚀,紫外光刻
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真空镀膜技术——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，压点材料真空镀膜技术，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
以下是几种常见波形的偏压电源：
单极性脉冲偏压电源主要特点：
1.高频单极性脉冲偏压施压在工件上，相比直流偏压而言，由于存在电压中断间隙，能有效减少打火次数，保护工件表面。
2.脉冲间隙期间，工件表面积累的电荷可以被中和，从而减少了表面电荷积累引起的打火。
3.高频逆变技术中的快速关断能力，能有效减少每次打火释放的能量，即使在打火出现时，也能明显降低工件表面大损伤程度。
4.脉冲间隙期间沉积到工件表面的离子能量很低。
5.可以通过调节频率、占空比要改善和控制成膜速度和质量。
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真空镀膜技术——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，钼金属真空镀膜技术，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，湖南真空镀膜技术，以及行业应用技术开发。
磁控溅射真空镀膜机镀制薄膜，均匀性是一项重要指标，因此研究影响磁控溅射均匀性的影响因素，能更好的实现磁控溅射均匀镀膜。简单的说磁控溅射就是在正交的电磁场中，闭合的磁场束缚电子围绕靶面做螺旋运动，在运动过程中不断撞击工作气体气电离出大量的离子，离子在电场作用下加速轰击靶材，溅射出靶原子离子（或分子）沉积在基片上形成薄膜。所以要实现均匀的镀膜，就需要均匀的溅射出靶原子离子（或分子），这就要求轰击靶材的离子是均匀轰击的。由于离子是在电场作用下加速轰击靶材，所以要求电场均匀。而离子来源于闭合的磁场束缚的电子在运动中不断撞击形成，氮化硅真空镀膜技术，这就要求磁场均匀和气分布均匀。但是实际的磁控溅射装置中，这些因素都是很难完全的均匀，这就有必要研究他们不均匀对成膜均匀性的影响。实际上磁场的均匀性和工作气体的均匀性是影响成膜均匀性的主要因素。磁场大的位置膜厚，反之膜薄，磁场方向也是影响均匀性的重要因素。气压方面，在一定气压条件下，气压大的位置膜厚，反之膜薄。
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较高的真空度可以保证汽化分子的平均自由程大于蒸发源到基底的距离。由于气体分子的热运动，分子之间的碰撞也是极其频繁的，所以尽管气体分子运动的速度相当的高 ( 可达每秒几百米 ) ，但是由于它在前进的过程中要与其它分子多次碰撞， 一个分子在两次连续碰撞之间所走的距离被称为它的自由程， 而大量分子自由程的统计平均值就被称为分子的平均自由程。
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第3年
