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广东省科学院半导体研究所
主营：深硅刻蚀,真空镀膜,磁控溅射,材料刻蚀,紫外光刻
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透明电极真空镀膜——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
真空镀膜机的正常工作条件
1、环境温度：10~30℃
2、相对湿度：不大于70%
3、冷却水进水温度：不高于25℃
4、冷却水质：城市自来水或质量相当的水
5、供电电压：380V，三相50Hz或220V，单相50Hz（由所用电器需要而定），电压波动范围342~399V或198V~231V，透明电极真空镀膜加工厂商，频率波动范围49~51Hz；
6、设备所需的压缩空气、液氮、冷热水等压力、温度、消耗量均应在产品使用说明书上写明。
7、设备周围环境整洁、空气清洁，不应有可引起电器及其他金属件表面腐蚀或引起金属间导电的尘埃或气体存在。
此外，真空镀膜设备所在实验室或车间应保持清洁卫生i。地面为水磨石或木质涂漆地面、无尘埃。为防止机械泵工作时排出的气体对实验室环境的污染，可采用在泵的排气口上面装设排气管道（金属、橡胶管）的办法，将气体排出室外。
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自1963年在一次偶然的机会出现了不寻常的硬度和化学性能好的化学汽相沉积（CVD）碳形式的薄膜后，国外有不少研究单位开始研究金刚石薄膜的沉积工艺.1971年，艾森伯格（Aisenberg）和沙博（Chabot）等人，利用离子束蒸镀法，以石墨作薄膜材料，通过气弧光放电使石墨分解电离产生碳离子。碳离子经磁场聚焦成束，在比较高的真空条件下，台湾透明电极真空镀膜，在低压沉积室内的室温下的基片上沉积出了硬碳膜。这种硬碳膜具有近似于金刚石的一些特性－如透明度高、电阻抗大、硬度高等。当时，这种膜被人们称作i形碳。直到1976年，斯潘塞（Spencer）等人对这种应碳膜的结构进行了探讨，结果确认膜中有金刚石等数种碳系结晶，后才被人们称之为类金刚石膜。就在这一年，德贾吉恩（Derjaguin）等人利用化学转变法合成出了金刚石薄膜。
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刚了解或者刚接触的真空镀膜机行业时，很多人好奇，透明电极真空镀膜加工平台，为啥蒸发真空镀膜设备蒸镀材料必须要在真空状态下，而且真空镀还要达到一定的标准，在常压下蒸镀膜料无法形成理想的薄膜，事实上，如在压力不够低 ( 或者说真空度不够高 ) 的情况下同样得不到好的结果， 比如在10 2托数量级下蒸镀铝，得到的膜层不但不光亮，甚至发灰、发黑，而且机械强度极差，用松鼠毛刷轻轻一刷即可将铝层破坏。
蒸镀必须在一定的真空条件下进行
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第3年
