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广东省科学院半导体研究所
主营：深硅刻蚀,真空镀膜,磁控溅射,材料刻蚀,紫外光刻
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LPCVD真空镀膜——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
近年来在国内外得到了迅速的发展。离子镀的基本原理是借助一种惰性气体的辉光或弧光放电使金属或合金蒸汽离子化。离子镀包括镀膜材料（如TiN、TiC）的受热、蒸发、沉积过程。蒸发的镀膜材料原子在经过辉光区时，一小部分发生电离，并在电场的作用下飞向工件，以几千电子伏的能量射到工件表面上，可以打入基体约几纳米的深度，从而大大提高了涂层的结合力，而未经电离的蒸发材料原子直接在工件上沉积成膜。惰性气体离子与镀膜材料离子在工件表面上发生的溅射，还可以清除工件表面的污染物，从而改善结合力。
离子真空镀膜机和蒸发镀膜机和磁控溅射镀膜机采用的技术是各不相同的，这几种镀膜技术原理也各具优势，浙江LPCVD真空镀膜，可根据其镀膜工件和膜层选择不同的镀膜方式，从而达到市场需求。
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以下是几种常见波形的偏压电源：
单极性脉冲偏压电源主要特点：
1.高频单极性脉冲偏压施压在工件上，相比直流偏压而言，LPCVD真空镀膜工艺，由于存在电压中断间隙，能有效减少打火次数，保护工件表面。
2.脉冲间隙期间，工件表面积累的电荷可以被中和，从而减少了表面电荷积累引起的打火。
3.高频逆变技术中的快速关断能力，能有效减少每次打火释放的能量，即使在打火出现时，也能明显降低工件表面大损伤程度。
4.脉冲间隙期间沉积到工件表面的离子能量很低。
5.可以通过调节频率、占空比要改善和控制成膜速度和质量。
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真空镀膜对环境的要求。
加工真空镀膜工艺衬底(基片)表面的清洁处理很重要。基片进入镀膜室前均应进行认真的镀前清洁处理，达到工件去油、去污和脱水的目的。
基片表面污染来自零件在加工、传输、包装过程所粘附的各种粉尘、润滑油、机油、抛光膏、油脂、汗渍等物;零件表面在潮湿空气中生成的氧化膜;零件表面吸收和吸附的气体。真空镀膜厂家这些污物基本上均可采用去油或化学清冼方法将其去掉。
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第4年
