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接地故障检测器GST7P-检测器-津泽机电科技(查看)

询盘留言 |投诉|申领|删除 产品编号:580239033                    更新时间:2024-06-18
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WT-2000P电阻率计SEMILAB钢锭缺陷检测装置检测器

WT-2000P电阻率计SEMILAB钢锭缺陷检测装置

WT-2000P 是一种高通量在线测量仪器,检测器,通过测量载流子复合寿命和电阻率来监控硅块的质量。在大 210 x 210 x 500 mm 的硅块上进行快速非接触式测量(单点、线扫描和/或地图)。有手动和自动测量方式,上块功能也有手动和自动(传送带)。它还具有自动化功能。

载流子复合寿命是多晶硅块的关键质量控制参数。测量基于 μ-PCD 方法。电阻率是基于涡流法测量的。

WT-2000PVN 是一款台式测量装置,接地故障检测器GST7P,可以测量各种太阳能电池、晶圆和块。基本系统配备间接功能,您可以根据实际需要从以下选项中选择配置测量功能。WT-2000PVN不仅可以测量晶圆和电池,还可以测量块和锭。测量晶圆或电池时,通常会创建地图。此外,在测量块或锭时,通常只创建线扫描以节省时间,但 WT-2000PVN 可以同时进行。

少数载流子寿命测量装置。u-PCD法可对硅块、硅片进行非接触、无损的寿命测量,并可进行映射显示。通过寿命测量,可以评估污染和杂质,例如硅和化合物半导体中的铁浓度。

WT-1200i 是一种非接触式手持式仪器,用于基于涡流检测光电导衰减 (e-PCD) 的单点体积寿命单点测量,适用于单晶锭和小块金属污染。专为检测而开发。与表面钝化样品中的 μ-PCD 高度相关。

检测器?充填式蒸馏装置HP-9000-B型柴田科学SIBATA

充填式蒸馏装置HP-9000-B型柴田科学SIBATA

充填式蒸留装置HP-9000-B型,简易蒸留装置HP-1000-T型,充填式蒸留装置HP-9100-B型,填料式蒸馏装置,灌装式蒸馏装置,填充式蒸馏装置

产品介绍

填料式蒸馏装置HP-9000-B型:由于采用真空封套蒸馏塔,保温效果好,可在无补偿加热器的情况下进行蒸馏。运算电路与主机一体化。

简易蒸馏装置HP-1000-T型:这是简单形式的填料蒸馏设备,由基本所需的少零件组成,适用于实验设备。除了使用温度控制器外,还可以使用内置定时器设置回流比。不适用于高沸物和粘稠物质的蒸馏。

灌装式蒸馏装置HP-9100-B型:由于采用真空封套蒸馏塔,保温效果好,接地故障检测器SRE5F,可在无补偿加热器的情况下进行蒸馏。配有操作面板和温度记录仪。

规格模型HP-9100-B填充Helipack No.2(SUS316)用法一般用途压力下降 2.128kPa (16mmHg)蒸馏塔充填式 φ22×1200 mm

真空夹套式蒸馏瓶500 mL、1 L、2 L,各 2 个加热器套式加热器 AC100V, 250 W, 400 W,接地故障检测器GST6P, 500 W回流比计时器采样 0 到 999 秒

回流 0 到 999 秒可用压力范围全真空至常压电源AC100V 2kVA尺寸机身:650(W)x 550(D)x 2440(H)mm

操作面板:600(W)x 450(D)x 1650(H)mm

CV测量SEMILAB全自动CV测量MCV-2200

全自动CV测量装置MCV-2200, MCV-2500,CV测量装置MCV系列MCV-530、MCV-530L,弹性金属探头CV测量装置FCV-3000,非接触式CV测量装置Cn-CV 300-SL,Cn-CV 310/210 CV/IV,Cn-CV 330/230 CV/IV,Cn-CV 350 CV/IV,CV-1500,自动寿命测量装置WT系列WT-2200, WT-2500, WT-3000,

产品介绍

CV测量装置 Mercury probe MCV是一种可以评估半导体硅晶片和化合物半导体SiC的电气特性以及MOS器件的氧化膜特性的装置。在一般的CV测量设备中,poly-Si、Al等被气相沉积在晶圆上作为栅电极,形成MOS和肖特基结构后评估CV/IV特性。可以很容易地检查,而不需要MCV 自动映射系统对用于外延硅制造和半导体前端处理的未图案化晶圆执行 CV 测量。

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