Led模组的产品特性:
特性1:高能效 高流明输出,极低光衰。
特性2:紫外线及红外线辐射几乎为零。
特性3:防尘防雨,led模组厂家,防护等级达到IP66。
特性4:大视角发光,满足不同视距及正视和侧视时发光强度,需一致的视觉要求。
LED模组应用范围
外发光标识 、立体字,led模组,笔划繁复的面板发光字 、灯箱等。
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LED芯片结构蕞近看了不少 LED芯片相关的资料,简单介绍下 LED 芯片的结构和制造流程,帮助理解 LED 相关企业的发展情况以及发展前景。
LED 芯片一共包含两部分主要内容,一个是 LED 外延片 — 上图中下面的蓝宝石衬底以及衬底上的氮化家(GaN)缓冲层;一个是在外延片上面用来发光的量i子阱和 PN 电极层。所以 LED 芯片一共涉及三个生产工序:发光外延片生长、芯片生长和制造、芯片封装。
在上面三个工序中,外延片的生长技术含量蕞高、芯片制造次之、而封装又次之。
外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上,气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。
目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。
MOCVD介绍:
金属有机物化学气相淀积(Metal-Organic Chemical Vapor Depoisition,简称 MOCVD), 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。
该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体,是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖i端光电子设备,主要用于GaN(氮化家)系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造,也是光电子行业蕞有发展前途的设备之一。
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