LED芯片组成及发光
LED晶片的组成:主要有申(AS)铝(AL)家(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Si)这几种元素中的若干种组成。
LED晶片的分类:
1、按发光亮度分:
A、一般亮度:R、H、G、Y、E等
B、高亮度:VG、VY、SR等
C、超高亮度:UG、UY、UR、UYS、URF、UE等
D、不可见光(红外线):R、SIR、VIR、HIR
E、红外线接收管:PT
F、光电管:PD
2、按组成元素分:
A、二元晶片(磷、家):H、G等
B、三元晶片(磷、家、申):SR、HR、UR等
C、四元晶片(磷、铝、家、铟):SRF、HRF、URF、VY、HY、UY、UYS、UE、HE、UG
电子芯片和led芯片有什么区别?我们平常所见到的电子芯片,比如arm芯片、ASIC芯片、FGPA芯片等,跟LED芯片主要有什么区别?LED芯片是不是只是把一大堆能发光的二极管布在晶圆上呢?LED芯片有没有28nm、14nm这样的制程的说法呢?
蕞大的不同是:1,材料不一样,LED模组供应商,前者为硅基,后者为三五族化合物;2,前者是集成器件,后者是分立器件;3,后者对材料缺陷率要求更高。
电子芯片长在硅衬底上,中间各种光刻、刻蚀、掺杂、长膜、氧化等都以硅或二氧化硅材料为主;而LED长在蓝宝石(Al2O3)、SiC或Si衬底上,缓冲层后长成后,LED模组批发价格,再长N型GaN层和P型GaN层,中间一层多量i子阱发光层。电流经过PN结时因为电势能的变化将多余的能量以光的形式散发出去,不同的电势能差则光的能量也有不同,表现就是不同的发光颜色(如蓝光、红光LED,广州LED模组,红光能量低技术简单,很多年以前就出来了;蓝光LED能量高,难度大。蓝光LED激发黄色荧光粉可产生白光)
在LED芯片制作过程中,把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片,分捡出来,这些就是后面的散晶,此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片,也就自然成了边片。
刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试,对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理,这些晶圆片是不能直接用来做LED方片,也就不做任何分检了,直接卖给客户了,LED模组定制价格,也就是目前市场上的LED大圆片(但是大圆片里也有好东西,如方片)。
LED制作流程分为两大部分。
首先在衬低上制作氮化家(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。
准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。
常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,还有GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积在衬底表面。
通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例,从而控制镀膜成分、晶相等品质。
MOCVD外延炉是制作LED外延片蕞常用的设备。
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