EEPROM在写新的数据前不需要先擦除,可以每次改写一个字节。这种灵活的擦写方式使得EEPROM在需要频繁更新数据的场景中具有优势。然而,EEPROM的读写速度相对较慢,且容量较小,价格较高。
Flash存储器在写新的数据前必须先擦除,而且经常是只允许整页擦除,没有办法擦除一个字节。这种成块的读写方式使得Flash存储器在写入大量数据时具有较高的效率。但需要注意的是,Flash存储器的擦除操作相对复杂,需要消耗较长的时间。
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存取时间(访问时间)TA:从存储器接收到读/写命令到信息被读出或写入完成所需的时间(决定于存储介质的物理特性和寻址部件的结构)。
例如:
ROM存取时间通常为几百ns;
RAM存取时间通常为几十ns到一百多ns;
双极性RAM存取时间通常为10~20ns。
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为什么单片机中很少有EEPROM了。
下面简单总结以下几点原因:
1.Flash容量更大,储存数据更多;
2.Flash速度更快,特别是读取速度;
3.同等容量,Flash成本更低;
4.Falsh体积更小,在单片机有限的空间Flash优势更明显;
5.随着RAM增加、CPU处理速度增快,能用Flash“模拟”EERPOM;
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