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合肥启尔特石油科技有限公司
主营：175度晶振,150度单片机,150度存储器,175度电容
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现在的 EEPROM 和 FLASH 都属于“可多次电擦除存储器”，但他们二者之间还是有很大差异。
首先，他们差异就是：FLASH按块/扇区进行读写操作，EEPROM支持按字节读写操作。
其次，容量大小不同：FLASH容量可以做到很大，210度进口存储器介绍，但EEPROM容量一般都很小。
再次，就是它们的应用场景不同：EERPOM存储零散小容量数据，比如：标志位、一组数据等。FLASH存储大容量数据，比如：程序代码、图片信息等。
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根据Flash生产厂商，理论上闪存盘可擦写1，000，存储器，000次，折合正常使用次数计算，高温150度存储器介绍，闪存盘里数据可保存约10年左右。
FLASH存储器在使用一段时间后，再次格式化，其容量会自动变小。
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Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，即可以根据地址随机读写，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。因为其读取速度快，多用来存储程序、操作系统等重要信息。
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