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BT=CT2+DT+E,上式中,C、D、E为常数。另外,因生产条件不同造成的B值的波动会引起常数E发生变化,但常数C、D不变。因此,在探讨B值的波动量时,EGE传感器,只需考虑常数E即可。常数C、D、E的计算,常数C、D、E可由4点的(温度、电阻值)数据(T0,R0).(T1,R1).(T2,R2)and(T3,R3),通过式3~6计算。首先由式样3根据T0和T1,EGE探测器,T2,T3的电阻值求出B1,B2,B3,然后代入以下各式样。
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在半导体里,出现了空穴这样一个名词。 当参杂B进入Si内此时B会以B+e-=B-和Si形成稳定共价键,即每个B会接受一个电子(电子来自其他Si之间的共价键中的价电子)使自己周围价电子变成4个才能和周围的4个Si形成稳定共价键故每加入1个B原子将产生一个空穴空穴并不是真实存在的,只是对大量电子运动的一种等效,空穴的流动其实就是大量电子运动的等效的反运动,泉州EGE,这从空穴的定义和特性就可以知道。
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男性生殖细胞和对电磁辐射更为敏感。因此,男性应尽量减少与电磁波太频繁密集的接触,而且接触时也要保持安全距离,一般是半米以上。 [15] 消费者如果长期涉身于超剂量电磁辐射环境中,应注意采取以下自我保护措施:
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