EEPROM单元坏与不坏界线很是模糊。 EEPROM单元能写入信息是因为它的浮栅能俘获电子并将其困在其中。 但随着时间的推移电子由于热运动或外界给予能量会逐渐逃逸, 所以说EEPROM保持信息是有一定年限的(比如100年)。写入与擦除信息即是向浮栅注入和释放电子,电子能量比较高,可能改变周围的晶格结构,导致浮栅俘获电子能力的下降,也就是表现为保存信息的时间变短, 所以才会有一个保守的写入次数限制(这里说保守是因为半导体的离散性大,实际的次数大得多)。 到了规定写入次数并不是说该单元就坏了, 而是说该单元保持信息的时间已不可信赖(而实际上它可能还能保存相当长时间甚至几十上百年),读写存储器,所以实际上短时间很难判定某个单元是否可用(坏了)。 如匠人的方法检测, 写入时测试好好的, 可能几秒钟之后该单元的数就逃了。
175度存储器eeprom合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,210度读写存储器厂,欢迎来电。
Flash 存储器的操作
对 Flash 存储器的操作一般是进行读、写和擦除。Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并哪一区块被擦除,或者全部擦除。
Flash 存储器的编程写入的地址必须以字(4 个字节)为单位对齐,且指明要写入的具体地址。也就是说可以是任意地址,但必须满足写入的地址是字对齐的。
Flash 存储器的读取也可以是任意地址的数据,但必须满足读取的地址是字对齐的,否则,读出的数据不正确,结果也难以预料。
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,175度读写存储器厂,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLash存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,进口175度读写存储器参数,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。有许多比较各种新兴存储器的基准指标,包括写入速度、功耗、耐久性、资料保存期限、可扩展性(scalability)等。但新兴存储器的材料、结构、甚至工作机制,都还在快速进展之中,单看这些数据并不能有较远的能见度。
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