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台湾研新股份有限公司
主营：电磁离合器,磁粉离合器,微型电磁离合器
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CCD是由许多个光敏像元按一定规律排列组成的。每个像元就是一个MOS电容器(大多为光敏二极管)，它是在P 型Si衬底表面上用氧化的办法生成1层厚度约为1000A～1500A的SiO2，再在SiO2表面蒸镀一金属层(多晶硅)，在衬底和金属电极间加上1个偏置电压，就构成1个MOS电容器。当有1束光线投射到MOS电容器上时，光子穿过透明电极及氧化层，进入P型Si衬底，衬底中处于价带的电子将吸收光子的能量而跃入导带。光子进入衬底时产生的电子跃迁形成电子－空穴对，电子－空穴对在外加电场的作用下，分别向电极的两端移动，这就是信号电荷。这些信号电荷储存在由电极形成的“势阱”中。
虽然他们的术语确实有所不同，但许多IC制造商要么调整现有的产品线，要么创造全新的产品来解决传感器融合任务。该处理由控制器芯片完成，该芯片可以被识别为MCU，传感器集线器或传感器融合处理器。我们已经看到这种技术应用于智能手机，活动监视器和其他设备的消费市场。技术的融合幸运的是，正如他们在电子产品的其他领域所做的那样，许多IC制造商已经承担了繁重工作的任务。借助现成的传感器融合和传感器集线器芯片，现在可以有效地连接各种数字传感器以及其他路径。创建自己的算法的负担已经消除。
假设电荷存储在电极①(加有10V电压)下面的势阱中，如图2(a)所示，加在CCD所有电极上的电压，CCD传感器厂，通常都要保持在高于某一临界值电压Vth，Vth称为CCD阈值电压，设Vth=2V。所以每个电极下面都有一定深度的势阱。显然，电极①下面的势阱深，如果逐渐将电极②的电压由2V增加到10V，CCD传感器哪家好，这时，海盐县CCD传感器，①、②两个电极下面的势阱具有同样的深度，CCD传感器多少钱，并合并在一起，原先存储在电极①下面的电荷就要在两个电极下面均匀分布，(b)和(c)所示，然后再逐渐将电极下面的电压降到2V，使其势阱深度降低，(d)和(e)所示，这时电荷全部转移到电极②下面的势阱中，此过程就是电荷从电极①到电极②的转移过程。如果电极有许多个，可将其电极按照1、4、7…，2、5、8…和3、6、9…的顺序分别连在一起，加上一定时序的驱动脉冲，即可完成电荷从左向右转移的过程。用3相时钟驱动的CCD称为3相CCD。
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