侦测到亮点之情况;
会产生亮点的缺陷:1.漏电结;2.解除毛刺;3.热电子效应;4闩锁效应; 5氧化层漏电;6多晶硅须;7衬底损失;8.物理损伤等。 侦测不到亮点之情况 不会出现亮点之故障:1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形(埋入式的接面及 大面积金属线底下的漏电位置);2.欧姆接触;3.金属互联短路;4.表面 反型层;5.硅导电通路等。
点被遮蔽之情况:埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置,这种情 况可采用Backside模式,但是只能探测近红外波段的发光,且需要减薄及 抛光处理。
芯片失效分析步骤:
1、非破坏性分析:主要是超声波扫描显微镜(C-SAM)--看有没delamination,精密制样设备价格,xray--看内部结构,等等;
2、电测:主要工具,精密制样设备公司,万用表,示波器, tek370a
3、破坏性分析:机械decap,化学 decap芯片开封机
4、半导体器件芯片失效分析 芯片內部分析,孔洞气泡失效分析。
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