EEPROM和闪存的写入时间显着增加了MCU的能耗,因为它们使MCU的活动时间更长。如果在写入EEPROM和闪存完成时MCU处于睡眠模式,则可以降低能耗。但是,EEPROM或闪存消耗的能量代表了系统的大部分能耗,因此使MCU处于睡眠模式不会对总体能耗产生重大影响。很明显,通过功率门控的快速写入,非易失性存储器可以实现低的能耗。
进口150度存储器合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,175度高温内存储器厂,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,150度内存储器厂,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。EEPROM存储器特点
1.非易失性:EEPROM存储器在断电后仍能保持数据不丢失,适用于需要长期保存数据的场景。
2.可擦除性:EEPROM存储器可实现逐字节擦除,方便用户对数据进行修改。
3.可编程性:用户可根据需求对EEPROM存储器进行编程,实现数据的写入和读取。
4.高可靠性:EEPROM存储器具有较高的数据保持能力和耐久性,保证了数据的可靠性。
5.兼容性好:EEPROM存储器与标准微处理器接口兼容,内存储器,易于集成到各种系统中。
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。场上的FLASH存储器产品包括两类:1. 未预留缓冲空间的;2. 预留有缓冲空间的。
一种情况下,由于没有预留空间,FLASH存储器在读写时交换块的损耗相当大,于是就会出现容量越来越小的情况。
对于第二种情况,厂商在设计时已经预留部分物理块,比如选择1024个物理块中的1000个作为数据存储使用,其余24个物理块(包括坏块)用作缓冲交换块部分。每次上电后,存储单元的逻辑地址和物理地址需要重新对照,交换块并不是固定的某一区块,因而每一个物理块进行读写操作的几率几乎相同,不会出现哪一个物理块过早被损坏的现象。对于预留缓冲空间的FLASH存储器来说,基本不会出现容量越来越小的情况。
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