闪速存储器(Flash ROM)是20世纪80年代中期出现的一种块擦写型存储器,是一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器,Flash ROM突破了传统的存储器体系,改善了存储器产品的特性。
Flash ROM中的内容不像RAM一样需要电源支持才能保存,但又像RAM一样可重写。在某种低电压下,Flash ROM的内部信息可读不可写,类似于ROM,而在较高的电压下,其内部信息可以更改和删除,又类似于RAM。
进口200度存储器合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,175度EEPROM容量,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,150度EEPROM容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。1.位翻转错误:EEPROM存储器中的存储单元可能会因为电子泄漏或干扰而发生位翻转,导致存储的数据发生错误。这种情况可能会导致系统崩溃或数据丢失。
2、写入错误:EEPROM存储器在写入数据时,可能会发生写入错误。这可能是由于电压不稳定、电流过大或其他原因引起的。写入错误可能导致存储的数据损坏或不完整。
3、擦除错误:EEPROM存储器在擦除数据时,可能会发生擦除错误。这可能是由于擦除电压不稳定、擦除时间过长或其他原因引起的。擦除错误可能导致存储的数据无法完全擦除或部分损坏。
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为什么单片机中很少有EEPROM了。
下面简单总结以下几点原因:
1.Flash容量更大,储存数据更多;
2.Flash速度更快,特别是读取速度;
3.同等容量,Flash成本更低;
4.Falsh体积更小,在单片机有限的空间Flash优势更明显;
5.随着RAM增加、CPU处理速度增快,能用Flash“模拟”EERPOM;
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