近日科技部高新司在组织召开“十二五”期间863计划重点支持的“第三代半导体器件制备及评价技术”项目验收会。通过项目的实施,我国在第三代半导体关键的碳化硅和氮化材料、功率器件、封装以及可见光通信等领域取得突破。
中国开展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚,与国外相比水平较低,阻碍国内第三代半导体研究进展的重要因素是原始问题。随着国家对第三代半导体材料的重视,近年来,我国半导体材料市场发展迅速。其中以碳化硅与氮化为主的材料备受关注。我们认为,该项目取得的进展,北京碳化硅,显示出我国在半导体前沿材料的研究方面取得了突破进展,有助于支撑我国在节能减排、现代信息工程、现代建设上的重大需求。
高耐磨性:普通钢球抛光加工(余量一毫米)大约需要2-4小时,而氧化锆球加工少150-200小时,氮化硅球加工周期甚至更长。精密球的重量只有普通钢球的50%-60%,碳化硅供应商,在轴承和航天领域大有前途。碳化硅球大小的选择与使用要求:对于国内大型的钢厂来说,钢包相对比较大多为:80吨、100吨、120吨等规格,熔炼时间长反应时间久。
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