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合肥启尔特石油科技有限公司
主营：175度晶振,150度单片机,150度存储器,175度电容
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Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，即可以根据地址随机读写，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。因为其读取速度快，多用来存储程序、操作系统等重要信息。
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eRAM、MRAM和OUM这三种存储器与传统的半导体存储器相比有许多突出的优点，200度高温存储器厂，其应用前景十分诱人。近年来，人们对它们的研究己取得了可喜的进展，175度存储器厂，尤其是FeRAM己实现了初步的商业应用。但它们要在实际应用上取得进一步重大突破，还有大量的研究工作要做。同时存储技术的发展是没有止境的，但是追求更高密度、更大带宽、更低功耗、更短延迟时间、更低成本和更高可靠性的目标永远不会改变。
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存储器的理解存储器是由简单的电子器件例如PMOS管、NMOS管进行组合形成逻辑上的与非或门，210度存储器厂，之后在此基础上，形成组合逻辑用于存储信息，例如R-S锁存器和门控D锁存器，进而进一步组合复杂化，形成我们所谓的寄存器、内存等用于存储信息的复杂结构。存储器的分类存储器分为易失性存储器和非易失性存储器；所谓易失性存储器是指设备掉电，存储的信息自动清除，而非易失性存储器具有存储时间长的功能。易失性存储器主要指RAM，而RAM分为动态RAM（DRAM）和静态RAM（SRAM）。SDRAM、DDR SDRAM、DDRⅡ
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