随着技术的发展,“只读”这个“传统”的概念有时是可以被一些新特性的器件颠覆的。比如下面这两种类型的ROM就可以使用适当的方法进行擦除或改写:
EPROM:与一般的ROM不同在于,它可用特殊的装置擦除或重写其中的内容。
FLASH:闪速存储器,是完全非易失的,可以在线写入,并且可以按页连续字节写入,读出速度快。
150度FLash存储器合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLash存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。现在的 EEPROM 和 FLASH 都属于“可多次电擦除存储器”,但他们二者之间还是有很大差异。
首先,他们差异就是:FLASH按块/扇区进行读写操作,EEPROM支持按字节读写操作。
其次,容量大小不同:FLASH容量可以做到很大,但EEPROM容量一般都很小。
再次,就是它们的应用场景不同:EERPOM存储零散小容量数据,比如:标志位、一组数据等。FLASH存储大容量数据,比如:程序代码、图片信息等。
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,高温200度存储器型号,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,存储器,如有需要的客户,欢迎来电。EEPROM单元坏与不坏界线很是模糊。 EEPROM单元能写入信息是因为它的浮栅能俘获电子并将其困在其中。 但随着时间的推移电子由于热运动或外界给予能量会逐渐逃逸, 所以说EEPROM保持信息是有一定年限的(比如100年)。写入与擦除信息即是向浮栅注入和释放电子,电子能量比较高,可能改变周围的晶格结构,导致浮栅俘获电子能力的下降,也就是表现为保存信息的时间变短, 所以才会有一个保守的写入次数限制(这里说保守是因为半导体的离散性大,实际的次数大得多)。 到了规定写入次数并不是说该单元就坏了, 而是说该单元保持信息的时间已不可信赖(而实际上它可能还能保存相当长时间甚至几十上百年),所以实际上短时间很难判定某个单元是否可用(坏了)。 如匠人的方法检测, 写入时测试好好的, 可能几秒钟之后该单元的数就逃了。
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