Flash存储器是一种电可擦除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦除或读写。Flash存储器由多个层次的结构组成,包括Device、target、LUN、Block和Page等。其中,LUN是逻辑单元,可以独立执行一个命令或汇报状态;Block是擦除的小单元,由多个Page组成;Page是写入和读出的基本单位。Flash存储器的主要特点是高集成度、低功耗和长寿命。
210度存储器FLash合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLash存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。相比于 NOR Flash,NAND Flash 写入性能好,大容量下成本低。 目前,绝大部分手机和平板等移动设备中所使用的 eMMC 内部的 Flash Memory 都属于 NAND Flash。PC 中的固态硬盘中也是使用 NAND Flash。
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。EEPROM是指带电可擦可编程只读存储器,是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。EPROM芯片可重复擦除和写入,解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。
EPROM芯片有一个很明显的特征,在其正面的陶瓷封装上,210度进口存储器容量,开有一个玻璃窗口,透过该窗口,可以看到其内部的集成电路,紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据,完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM内资料的写入要用专门的编程器,并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压。
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