光擦可编程只读存储器(EPROM)
光擦可编程只读存储器(EPROM)的特点是内容可以用特殊的方式擦除和重写。EPROM出厂时,其存储内容为全「1」,用户可根据需要将部分内容改写为「0」,需要修改存储内容时,可将原存储内容擦除(恢复为全「1」),以便写入新的内容。
EPROM一般是将芯片用紫外线照射15~20分钟左右,只读存储器,以擦除其中的内容,然后用的EPROM写入器将信息重新写入,一旦写入则相对固定。在闪速存储器大量应用之前,EPROM常用于软件开发过程中。
原装150度存储器合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,200度高温只读存储器参数,欢迎来电。EEPROM在写新的数据前不需要先擦除,可以每次改写一个字节。这种灵活的擦写方式使得EEPROM在需要频繁更新数据的场景中具有优势。然而,EEPROM的读写速度相对较慢,且容量较小,价格较高。
Flash存储器在写新的数据前必须先擦除,210度只读存储器参数,而且经常是只允许整页擦除,没有办法擦除一个字节。这种成块的读写方式使得Flash存储器在写入大量数据时具有较高的效率。但需要注意的是,Flash存储器的擦除操作相对复杂,需要消耗较长的时间。
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度只读存储器参数,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。场上的FLASH存储器产品包括两类:1. 未预留缓冲空间的;2. 预留有缓冲空间的。
一种情况下,由于没有预留空间,FLASH存储器在读写时交换块的损耗相当大,于是就会出现容量越来越小的情况。
对于第二种情况,厂商在设计时已经预留部分物理块,比如选择1024个物理块中的1000个作为数据存储使用,其余24个物理块(包括坏块)用作缓冲交换块部分。每次上电后,存储单元的逻辑地址和物理地址需要重新对照,交换块并不是固定的某一区块,因而每一个物理块进行读写操作的几率几乎相同,不会出现哪一个物理块过早被损坏的现象。对于预留缓冲空间的FLASH存储器来说,基本不会出现容量越来越小的情况。
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