1989年,150度高温EEPROM容量,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。
NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的制作Flash的成本更廉价。
用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flash以外,还做上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。
200度原装存储器合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。Flash存储器是一种电可擦除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦除或读写。Flash存储器由多个层次的结构组成,包括Device、target、LUN、Block和Page等。其中,LUN是逻辑单元,可以独立执行一个命令或汇报状态;Block是擦除的小单元,由多个Page组成;Page是写入和读出的基本单位。Flash存储器的主要特点是高集成度、低功耗和长寿命。
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,210度高温EEPROM容量,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。EEPROM在写新的数据前不需要先擦除,可以每次改写一个字节。这种灵活的擦写方式使得EEPROM在需要频繁更新数据的场景中具有优势。然而,EEPROM的读写速度相对较慢,且容量较小,价格较高。
Flash存储器在写新的数据前必须先擦除,而且经常是只允许整页擦除,EEPROM,没有办法擦除一个字节。这种成块的读写方式使得Flash存储器在写入大量数据时具有较高的效率。但需要注意的是,Flash存储器的擦除操作相对复杂,需要消耗较长的时间。
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