Flash 储存器芯片中单元格里的电子可以被带有更高电压的电子区还原为正常的1。Flash 储存器采用内部闭合电路,EEPROM,这样不仅使电子区能够作用于整个芯片,还可以预先设定“区块”(Block)。在设定区块的同时就将芯片中的目标区域擦除干净,以备重新写入。传统的EEPROM芯片每次只能擦除一个字节,而Flash 储存器每次可擦写一块或整个芯片。Flash 储存器的工作速度大幅优于传统EEPROM芯片。
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磁性随机存储器(MRAM)
从原理上讲,MRAM的设计是非常诱人的,它通过控制铁磁体中的电子旋转方向来达到改变读取电流大小的目的,从而使其具备二进制数据存储能力。理论上来说,铁磁体是长久不会失效的,因此它的写入次数也是没有限制的。
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,175度高温EEPROM容量,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,210度高温EEPROM容量,如有需要的客户,欢迎来电。RAM随机存取存储器(Random Access Memory)
CPU根据RAM的地址将数据随机的写入或读出。电源切断后,所存数据全部丢失。按照集成电路内部结构不同,RAM又分为两类:
SRAM静态RAM(Static RAM)
静态RAM速度非常快,只要电源存在内容就不会消失。但他的基本存储电路是由6个MOS管组成1位。集成度较低,功耗也较大。一般高速缓冲存储器(Cache memory)用它组成。
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