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苏州炫吉电子科技有限公司
主营：单片机,MOS,大电流mos
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公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
参考电压可以来自于采样电阻，也就是在NMOS的S极接一个大功率小电阻后接地，这个电阻做电流采样，当电流流过电阻后会形成电压，把它放大处理后做参考。
刚开始的时候，中低压mos，电流很小，所以控制电压比参考电压高很多，可以使管子迅速导通，在很短时间后，当电流增大逐步达到某个值时，参考电压迅速上升，与控制电压接近并超过时，比较器就输出低电平（接近0V）使管子截止，电流减小。然后电流减少后，参考电压又下去，管子又导通，电流又增大。然后周而复始。
MOS管FET栅源保护：
1）避免 栅极 di/dt 过高
因为选用驱动集成ic，其输出阻抗较低，直推功率管会造成推动的功率管迅速的开启和断连，有可能导致功率管漏源极间的工作电压波动，或是有可能导致功率管遭到过高的 di/dt 而造成误通。为预防以上问题的产生，一般在 MOS 控制器的导出与 MOS 管的栅极中间串连一个电阻器，中低压mos厂家，电阻器的尺寸一般选择几十欧母。
2）避免 栅源极间过压
因为栅极与源极的特性阻抗很高，漏极与源极间的工作电压基因突变会根据极间电容藕合到栅极而造成非常高的栅源顶i峰工作电压，此工作电压会使非常薄的栅源空气氧化层穿透，与此同时栅极非常容易累积正电荷也会使栅源空气氧化层穿透，因此，要在 MOS 管栅极串联稳压极管以限定栅极工作电压在稳压极管值下，保护 MOS 管不被穿透。
3）安全防护漏源极中间过压
尽管漏源击穿电压 VDS 一般都非常大，但假如漏源极不用保护电路，一样有可能由于器件电源开关一瞬间电流量的基因突变而造成漏极顶i峰工作电压，从而毁坏 MOS 管，功率管电源开关速率越快，中低压mos万芯半导体，造成的过压也就越高。为了更好地避免器件毁坏，一般选用齐纳二极管钳位和 RC 缓存电路等保护对策。
公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
MOS管导通的意思就是将其做为开关，等同于开关合闭。NMOS的特点是当Vgs超过限定的值时就会导通，适用与源极接地装置的状况，只需栅压电压做到4V或10V就可以了。而PMOS的特点则是当Vgs低于一定的值就会导通，适用与源极接Vcc的状况。可是，尽管PMOS能够很便捷的作为高i档驱动，WP中低压mos，但因为导通电阻器大、价钱成本高、更换类型少等缘故，在高i档驱动中，一般都用NMOS。
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第3年
