Flash 储存器的标准物理结构,称之为基本位(cell);一般MOS闸极(Gate)和通道的间隔为氧化层之绝缘(gate oxide),EEPROM,而Flash 储存器的特色是在控制闸(Control gate)与通道间多了一层称为“浮闸”(floating gate)的物质。拜这层浮闸之赐,使得Flash 储存器可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式;就算在不提供电源给内存的环境下,也能透过此浮闸,来保存数据的完整性。
210度芯片存储器合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLash存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。新兴存储器(emerging memory)现在多指的是新的非挥发性存储器,200度EEPROM容量,主要包括相变半导体(Phase Change Memory;PCM)、可变电阻式存储器(Resistive RAM;ReRAM)以及MRAM。这些新兴存储器目前都在竞争储存级存储器(Storage Class Memory;SCM)的主要位置。
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLash存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。电擦可编程只读存储器(EEPROM或E2PROM)
EEPROM用电气方法将芯片中存储内容擦除,擦除速度较快,甚至在联机状态下也可以操作。相对来说,EPROM用紫外线擦除内容的操作就更复杂,速度也很慢。EEPROM既可使用字擦除方式又可使用块擦除方式,使用字擦除方式可擦除一个存储单元,使用块擦除方式可擦除数据块中所有存储单元。
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