随着技术的发展,150度高温EEPROM容量,“只读”这个“传统”的概念有时是可以被一些新特性的器件颠覆的。比如下面这两种类型的ROM就可以使用适当的方法进行擦除或改写:
EPROM:与一般的ROM不同在于,它可用特殊的装置擦除或重写其中的内容。
FLASH:闪速存储器,175度高温EEPROM容量,是完全非易失的,可以在线写入,并且可以按页连续字节写入,读出速度快。
进口200度存储器合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。1.位翻转错误:EEPROM存储器中的存储单元可能会因为电子泄漏或干扰而发生位翻转,导致存储的数据发生错误。这种情况可能会导致系统崩溃或数据丢失。
2、写入错误:EEPROM存储器在写入数据时,可能会发生写入错误。这可能是由于电压不稳定、电流过大或其他原因引起的。写入错误可能导致存储的数据损坏或不完整。
3、擦除错误:EEPROM存储器在擦除数据时,可能会发生擦除错误。这可能是由于擦除电压不稳定、擦除时间过长或其他原因引起的。擦除错误可能导致存储的数据无法完全擦除或部分损坏。
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLash存储器可以做到4MB容量,EEPROM,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。光擦可编程只读存储器(EPROM)
光擦可编程只读存储器(EPROM)的特点是内容可以用特殊的方式擦除和重写。EPROM出厂时,其存储内容为全「1」,用户可根据需要将部分内容改写为「0」,需要修改存储内容时,可将原存储内容擦除(恢复为全「1」),以便写入新的内容。
EPROM一般是将芯片用紫外线照射15~20分钟左右,以擦除其中的内容,然后用的EPROM写入器将信息重新写入,一旦写入则相对固定。在闪速存储器大量应用之前,EPROM常用于软件开发过程中。
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