公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
判定栅极
用万用表的黑表笔去触碰管子的随意一个电极,红表笔分别去触碰另外的两个电极。如果两次都测出的阻值较小,说明两者都是正向电阻,该管属于是N沟道的场效应管,黑表笔接触的一样也是栅极。
制作的过程中就决定了场效应管的漏极和源极是对称的 ,可以互相交换使用 ,并不会影响电路的使用,电路此时也是正常的,所以不用去过度区分。漏极和源极之间的电阻大约是几千欧。不能使用这个方法去判断绝缘栅型场效应管的栅极。因为这管子输入的电阻是极高的,而且栅源之间的极间电容又是非常小的,台州大电流mos,测量的时候只要有少量电荷,就可以在极间电容上面形成极高的电压,管子将很容易损坏。
公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,大电流mos生产厂家,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
现阶段在行业应用层面,排名头一个的是消费类电子器件适配器商品。而按照对MOS管的主要用途掌握,需求MOS管排名在第二的是计算机主板、NB、计算机电源适配器、LCD显示器等商品。在伴随着基本国情的发展趋势,计算机主板、计算机电源适配器、LCD显示器对MOS管的要求有要超出消费类电子器件适配器的状况了。
电子元器件都有电气参数,在选型时要给电子元器件留出足够的余量,才能保证电子元器件的稳定性和长期运行。接下来简要介绍一下三极管和MOS管的选型方法。
三极管是一种流控型器件,大电流mos价格,MOS管是压控型器件,两者之间有相似之处,在选择时需要考虑耐压、电流等参数。
1、根据耐压选型
三极管的集电极C与发射极E之间能承受的电压参数为V(BR)CEO,工作时CE之间的电压不得超过规定值,否则三极管将永i久损坏。
在使用过程中,MOS管的漏极D与源极S之间也存在电压,工作时DS两端的电压不能超过规定值。一般来说,MOS管的耐压值远高于三极管。
2、过电流能力
三极管有ICM参数,即集电极的过电流能力,MOS管的过电流能力以ID来表示。当电流工作时,流过三极管/MOS管的电流不能超过规定值,否则器件将会被烧坏。
考虑到工作稳定性,大电流mos万芯半导体,一般要留出30%-50%,甚至更多的余量。
3、工作温度
商业级芯片:一般范围在0到+70℃;
工业级芯片:一般范围在-40到+85℃;
军i工级芯片:一般范围在-55℃到+150℃;
在进行MOS管选型时,要根据产品的使用场合选择合适的芯片。
4、根据开关频率选择
三极管和MOS管都有开关频率/响应时间的参数。如果用于高频电路中,必须考虑开关管的响应时间是否符合使用条件。
5、其他选型条件
例如,MOS管的导通电阻Ron参数、MOS管的VTH开启电压等。
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