公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,中低压mos厂家,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
MOS管的选型是很重要的一个环节,MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本,同时也会给工程师带来诸多麻烦。
为设计选择正确器件的头一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。
在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。 当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。
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用电源IC立即驱动MOS管
一个好的MOS管驱动电路有下面几点规定:
(1)开关管启用瞬间,南通中低压mos,驱动电路应能输出非常大的电流,使MOS管栅源极间工作电压快速升高到所需值,确保开关管能迅速开启且不会有上升沿的高频率震荡。
(2)电源开关通断期内,驱动电路能确保MOS管栅源极间工作电压长期保持,且有效通导。
(3)关闭一瞬间驱动电路,能供应一个尽量低阻抗的通道,中低压mos生产厂家,供MOS管栅源极间电容工作电压的迅速泄流,确保开关管能迅速关闭。
(4)驱动电路构造简易靠谱、耗损小。
(5)依据具体情况开展防护。
在控制模块电源中,常见的是电源IC直接驱动MOS管。应用中,应当留意较大驱动高值电流量、MOS管的分布电容2个主要参数。电源IC的驱动能力、MOS分布电容尺寸、驱动电阻器电阻值都将危害MOS管电源开关速率。假如挑选MOS管分布电容较为大,电源IC內部的驱动能力又不够时,必须在驱动电路上提高驱动能力,常应用图腾柱电源电路提升电源IC驱动能力。
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结型场效应管的管脚识别:场效应管的栅极也就是晶体管的那个基极,中低压mos公司,漏极和源极分别是对应晶体管的集电极和发射极。把万用表调到R×1k档,用两表笔分别去测量两个管脚间的正向电阻和反向电阻。当某两个管脚间的正向电阻=反向电阻=KΩ的时候,也就是这两个管脚为源极S和漏极D,剩下的管脚就是栅极G。如果是4个管脚的结型场效应管,另外的一极则是使用中接地的屏蔽极。
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