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合肥启尔特石油科技有限公司
主营：175度晶振,150度单片机,150度存储器,175度电容
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动态存储器每片只有一条输入数据线，而地址引脚只有8条。为了形成64K地址，必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上，借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元，210度高温Flash存储器容，锁存信号也靠着外部地址电路产生。
高温200度存储器合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLASH存储器可以做到4MB容量，Flash存储器，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，如有需要的客户，欢迎来电。
只读内存（Read－Only Memory）是一种只能读取资料的内存。在制造过程中，将资料以一光罩（mask）烧录于线路中，其资料内容在写入后就不能更改，所以有时又称为“光罩式只读内存”（mask ROM）。此内存的制造成本较低，常用于电脑中的开机启动。
可编程只读存储器（英文：Programmable ROM，简称：PROM）一般可编程一次。PROM存储器出厂时各个存储单元皆为1，或皆为0。用户使用时，150度高温Flash存储器容，再使用编程的方法使PROM存储所需要的数据。
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EEPROM单元坏与不坏界线很是模糊。 EEPROM单元能写入信息是因为它的浮栅能俘获电子并将其困在其中。 但随着时间的推移电子由于热运动或外界给予能量会逐渐逃逸， 所以说EEPROM保持信息是有一定年限的（比如100年）。写入与擦除信息即是向浮栅注入和释放电子，电子能量比较高，可能改变周围的晶格结构，导致浮栅俘获电子能力的下降，也就是表现为保存信息的时间变短， 所以才会有一个保守的写入次数限制（这里说保守是因为半导体的离散性大，实际的次数大得多）。 到了规定写入次数并不是说该单元就坏了， 而是说该单元保持信息的时间已不可信赖（而实际上它可能还能保存相当长时间甚至几十上百年），所以实际上短时间很难判定某个单元是否可用（坏了）。 如匠人的方法检测， 写入时测试好好的， 可能几秒钟之后该单元的数就逃了。
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