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存取时间(访问时间)TA:从存储器接收到读/写命令到信息被读出或写入完成所需的时间(决定于存储介质的物理特性和寻址部件的结构)。
例如:
ROM存取时间通常为几百ns;
RAM存取时间通常为几十ns到一百多ns;
双极性RAM存取时间通常为10~20ns。
210度存储器eeprom合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,175度高温内存储器价格,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。AM:Random Access Memory,随机访问存储器。以手机为例,RAM在手机上相当于运行内存,是用来存储和保存数据的。
RAM可以通过指令随机的、个别的对各个存储单元进行访问,一般访问时间基本固定,而与存储单元地址无关。
RAM的速度比较快,但是其保存的信息需要电力支持,一旦丢失供电即数据消失,所以又叫易失性存储器。
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Flash结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的功能,还可以快速读取数据,具有NVRAM的优势(NVRAM:Non-Volatile Random Access Memory,非易失性随机访问存储器)。
在过去,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,Flash的出现,代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘、固态硬盘)。
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