新功率MOSfet是一种场效应晶体管,专门设计用于在电力电子应用中传输大电流。这些器件具有非常低的导通电阻(RDSon),这使得它们能够将电能有效地转化为有用的输出而不会产生大量损耗或热量积累问题。在新设计的功率MOSFET中使用氮化(GaN)或是碳纳米管制成的P型栅极可以更好地抑制电荷收集和射频泄漏,从而提和频率性能.新技术的出现为更的、小型的和大批量生产的半导体产品提供了可能,这将有助于推动范围内的工业发展和进步
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