用于白光的LED大功率芯片一般在市场上可以看到的都在40mil左右,所谓的大功率芯片的使用功率一般是指电功率在1W以上。
由于量i子效率一般小于20%大部分电能会转换成热能,led外延片多少钱,所以大功率芯片的散热很重要,要求芯片有较大的面积。
制造GaN外延材料的芯片工艺和加工设备与GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的要求?为什么?
普通的LED红黄芯片和高亮四元红黄芯片的基板都采用GaP、GaAs等化合物半导体材料,led外延片厂家,一般都可以做成N型衬底。
采用湿法工艺进行光刻,较为后用金刚砂轮刀片切割成芯片。
GaN材料的蓝绿芯片是用的蓝宝石衬底,由于蓝宝石衬底是绝缘的,所以不能作为LED的一个极,湛江led外延片,必须通过干法刻蚀的工艺在外延面上同时制作P/N两个电极并且还要通过一些钝化工艺。由于蓝宝石很硬,用金刚砂轮刀片很难划成芯片。
它的工艺过程一般要比GaP、GaAs材料的LED多而复杂。
LED芯片组成及发光LED芯片组成及发光
LED晶片的组成:主要有申(AS)铝(AL)家(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Si)这几种元素中的若干种组成。
LED晶片的分类:
1、按发光亮度分:
A、一般亮度:R、H、G、Y、E等
B、高亮度:VG、VY、SR等
C、超高亮度:UG、UY、UR、UYS、URF、UE等
D、不可见光(红外线):R、SIR、VIR、HIR
E、红外线接收管:PT
F、光电管:PD
2、按组成元素分:
A、二元晶片(磷、家):H、G等
B、三元晶片(磷、家、申):SR、HR、UR等
C、四元晶片(磷、铝、家、铟):SRF、HRF、URF、VY、HY、UY、UYS、UE、HE、UG
在晶片上生长为外延片的步骤:
在单晶衬底上生长一薄层单晶工艺,led外延片报价,称为外延;长有外延层的晶体片称为外延片;外延材料是LED的部分。LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。 外延技术和设备分气相外延、液相外延、金属有机化合物气相外延(MOCVD),目前主流方式为 MOCVD,而 MOCVD 外延炉则是 LED 外延片和芯片制造过程中的蕞重要的设备,在2008年前后时期,一套 MOCVD 设备需要上千万人民i币左右。
把衬底放到外延炉中,然后控制化合物气体在衬底上沉积,就像植物从地下生长上来一样,化合物沉积到衬底上好像从衬底上生长上来的一样,所以称之为外延片生长。需要生长多层微米级别的不同层。
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